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NE678M04

产品描述RF Bipolar Transistors NPN High Frequency
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小884KB,共19页
制造商NEC(日电)
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NE678M04概述

RF Bipolar Transistors NPN High Frequency

NE678M04规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
NEC(日电)
产品种类
Product Category
RF Bipolar Transistors
RoHSN
Transistor TypeBipolar
技术
Technology
Si
Transistor PolarityNPN
DC Collector/Base Gain hfe Min75
Emitter- Base Voltage VEBO2 V
Continuous Collector Current0.1 A
ConfigurationSingle
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
SOT-343
DC Current Gain hFE Max150
类型
Type
RF Bipolar Small Signal
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
205 mW

NE678M04相似产品对比

NE678M04 NE677M04-T2 NE68030
描述 RF Bipolar Transistors NPN High Frequency RF Bipolar Transistors NPN High Frequency RF Bipolar Transistors NPN High Frequency
厂商名称 - NEC(日电) NEC(日电)
包装说明 - M04, 4 PIN PLASTIC, 30, 3 PIN
Reach Compliance Code - unknown unknown
最大集电极电流 (IC) - 0.05 A 0.035 A
配置 - SINGLE SINGLE
最高频带 - S BAND S BAND
JESD-30 代码 - R-PDSO-F4 R-PDSO-G3
元件数量 - 1 1
端子数量 - 4 3
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 - NPN NPN
认证状态 - Not Qualified Not Qualified
表面贴装 - YES YES
端子形式 - FLAT GULL WING
端子位置 - DUAL DUAL
晶体管元件材料 - SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) - 15000 MHz 10000 MHz
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