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SFF1007GHC0

产品描述Rectifiers 10A, 500V, 35NS, DUAL RECTIFIER ISOLATED
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小391KB,共4页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
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SFF1007GHC0概述

Rectifiers 10A, 500V, 35NS, DUAL RECTIFIER ISOLATED

SFF1007GHC0规格参数

参数名称属性值
厂商名称Taiwan Semiconductor
包装说明ITO-220AB, 3 PIN
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS, UL RECOGNIZED
应用EFFICIENCY
外壳连接ISOLATED
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.7 V
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流125 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流5 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
参考标准AEC-Q101
最大重复峰值反向电压500 V
最大反向电流10 µA
最大反向恢复时间0.035 µs
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE

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SFF1001GA - SFF1008GA
Taiwan Semiconductor
CREAT BY ART
10A, 50V - 600V Isolated Glass Passivated Super Fast Rectifiers
FEATURES
- High efficiency, low VF.
- High current capability
- High reliability
- High surge current capability
- Low power loss.
- Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and
in accordance to WEEE 2002/96/EC
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21
ITO-220AB
MECHANICAL DATA
Case:
ITO-220AB
Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0
Part no. with suffix "H" means AEC-Q101 qualified
Packing code with suffix "G" means green compound (halogen-free)
Terminal:
Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102
Meet JESD 201 class 2 whisker test
Polarity:
As marked
Mounting torque:
0.56 Nm max. (5 in-lbs. max.)
Weight:
1.8 g (approximately)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
=25°C unless otherwise noted)
SFF
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
Peak forward surge current, 8.3 ms single half
sine-wave superimposed on rated load
Maximum instantaneous forward voltage (Note 1)
I
F
= 5A
Maximum reverse current @ rated V
R
Maximum reverse recovery time (Note 2)
Typical junction capacitance (Note 3)
Typical thermal resistance
Operating junction temperature range
Storage temperature range
Note 1: Pulse Test with PW=300μs, 1% Duty Cycle
Note 2: Reverse Recovery Test Conditions: I
F
=0.5A, I
R
=1.0A, I
RR
=0.25A.
Note 3: Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V DC.
T
J
=25°C
T
J
=125°C
GA
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
V
F
I
R
t
rr
C
J
R
θJC
T
J
T
STG
70
8
- 55 to +150
- 55 to +150
0.975
10
400
35
50
50
35
50
SFF
GA
100
70
100
SFF
GA
150
105
150
SFF
GA
200
140
200
10
125
1.3
1.7
SFF
GA
300
210
300
SFF
GA
400
280
400
SFF
GA
500
350
500
SFF
GA
600
420
600
V
V
V
A
A
V
μA
ns
pF
°C/W
°C
°C
SYMBOL 1001 1002 1003 1004 1005 1006 1007 1008 UNIT
Document Number: DS_D0000132
Version: D15
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