635 nm, LASER DIODE
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Hitachi (Renesas ) |
| 包装说明 | LD/G2, 3 PIN |
| Reach Compliance Code | unknow |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN PHOTO DIODE |
| 最大正向电流 | 0.085 A |
| JESD-609代码 | e0 |
| 安装特点 | THROUGH HOLE MOUNT |
| 功能数量 | 1 |
| 最高工作温度 | 50 °C |
| 最低工作温度 | -10 °C |
| 光电设备类型 | LASER DIODE |
| 标称输出功率 | 5 mW |
| 峰值波长 | 635 nm |
| 半导体材料 | AlGaInP |
| 形状 | ROUND |
| 尺寸 | 2 mm |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 最大阈值电流 | 70 mA |

| HL6312G | HL6313G | |
|---|---|---|
| 描述 | 635 nm, LASER DIODE | 635 nm, LASER DIODE |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Hitachi (Renesas ) | Hitachi (Renesas ) |
| 包装说明 | LD/G2, 3 PIN | LD/G2, 3 PIN |
| Reach Compliance Code | unknow | unknow |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN PHOTO DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN PHOTO DIODE |
| 最大正向电流 | 0.085 A | 0.085 A |
| JESD-609代码 | e0 | e0 |
| 安装特点 | THROUGH HOLE MOUNT | THROUGH HOLE MOUNT |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 最高工作温度 | 50 °C | 50 °C |
| 最低工作温度 | -10 °C | -10 °C |
| 光电设备类型 | LASER DIODE | LASER DIODE |
| 标称输出功率 | 5 mW | 5 mW |
| 峰值波长 | 635 nm | 635 nm |
| 半导体材料 | AlGaInP | AlGaInP |
| 形状 | ROUND | ROUND |
| 尺寸 | 2 mm | 2 mm |
| 表面贴装 | NO | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 最大阈值电流 | 70 mA | 70 mA |
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