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HL6312G

产品描述635 nm, LASER DIODE
产品类别光电子/LED    光电   
文件大小27KB,共6页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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HL6312G概述

635 nm, LASER DIODE

HL6312G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Hitachi (Renesas )
包装说明LD/G2, 3 PIN
Reach Compliance Codeunknow
配置SINGLE WITH BUILT-IN PHOTO DIODE
最大正向电流0.085 A
JESD-609代码e0
安装特点THROUGH HOLE MOUNT
功能数量1
最高工作温度50 °C
最低工作温度-10 °C
光电设备类型LASER DIODE
标称输出功率5 mW
峰值波长635 nm
半导体材料AlGaInP
形状ROUND
尺寸2 mm
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
最大阈值电流70 mA

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HL6312/13G
AlGaInP Laser Diodes
Description
The HL6312/13G are 0.63 µm band AlGaInP laser diodes with a multi-quantum well (MQW)
structure. Wavelength is equal to He-Ne Gas laser. They are suitable as light sources in bar code
readers, laser levelers and various other types of optical equipment. Hermetic sealing of the package
achieves high reliability.
Features
Visible light output:
λp
= 635 nm Typ (nearly equal to He-Ne Gas Laser)
Optical output power: 5 mW CW
Low Operating voltage: 2.7 V Max
Single longitudinal mode
Built-in photodiode for monitoring laser output
99

HL6312G相似产品对比

HL6312G HL6313G
描述 635 nm, LASER DIODE 635 nm, LASER DIODE
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas )
包装说明 LD/G2, 3 PIN LD/G2, 3 PIN
Reach Compliance Code unknow unknow
配置 SINGLE WITH BUILT-IN PHOTO DIODE SINGLE WITH BUILT-IN PHOTO DIODE
最大正向电流 0.085 A 0.085 A
JESD-609代码 e0 e0
安装特点 THROUGH HOLE MOUNT THROUGH HOLE MOUNT
功能数量 1 1
最高工作温度 50 °C 50 °C
最低工作温度 -10 °C -10 °C
光电设备类型 LASER DIODE LASER DIODE
标称输出功率 5 mW 5 mW
峰值波长 635 nm 635 nm
半导体材料 AlGaInP AlGaInP
形状 ROUND ROUND
尺寸 2 mm 2 mm
表面贴装 NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
最大阈值电流 70 mA 70 mA

 
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