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BR93L86RF-W: 产品描述Microwire BUS 16Kbit(1,024 x 16bit) EEPROM; 产品类别存储存储; 文件大小316KB，共6页; 制造商ROHM(罗姆半导体); 官网地址https://www.rohm.com/; 标准

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BR93L86RF-W概述

Microwire BUS 16Kbit(1,024 x 16bit) EEPROM

BR93L86RF-W规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	ROHM(罗姆半导体)
零件包装代码	SOIC
包装说明	SOP-8
针数	8
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
最大时钟频率 (fCLK)	2 MHz
数据保留时间-最小值	40
耐久性	1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码	R-PDSO-G8
JESD-609代码	e2
长度	5 mm
内存密度	16384 bi
内存集成电路类型	EEPROM
内存宽度	16
功能数量	1
端子数量	8
字数	1024 words
字数代码	1000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	1KX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOP
封装等效代码	SOP8,.25
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
并行/串行	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	2/5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.6 mm
串行总线类型	MICROWIRE
最大待机电流	0.000002 A
最大压摆率	0.0045 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	1.8 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Copper (Sn/Cu)
端子形式	GULL WING
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	10
宽度	4.4 mm
最长写入周期时间 (tWC)	5 ms
写保护	SOFTWARE

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Order in Japan.

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on the basis of "catch all controls for Non-Proliferation of Weapons of Mass Destruction.

Appendix1-Rev1.1

BR93L86RF-W相似产品对比

	BR93L86RF-W	BR93L86F-W	BR93L86FJ-W	BR93L86RFVT-W	BR93L86RFJ-W	BR93L86RFV-W	BR93L86RFVJ-W	BR93L86RFVM-W
描述	Microwire BUS 16Kbit(1,024 x 16bit) EEPROM	Microwire BUS 16Kbit(1,024 x 16bit) EEPROM	Microwire BUS 16Kbit(1,024 x 16bit) EEPROM	Microwire BUS 16Kbit(1,024 x 16bit) EEPROM	Microwire BUS 16Kbit(1,024 x 16bit) EEPROM	Microwire BUS 16Kbit(1,024 x 16bit) EEPROM	Microwire BUS 16Kbit(1,024 x 16bit) EEPROM	Microwire BUS 16Kbit(1,024 x 16bit) EEPROM
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合
零件包装代码	SOIC	SOIC	SOIC	SOIC	SOIC	SOIC	SOIC	MSOP
包装说明	SOP-8	SOP-8	SOP-8	TSSOP-8	SOP-8	SSOP-8	TSSOP-8	MSOP-8
针数	8	8	8	8	8	8	8	8
Reach Compliance Code	compli	compli	compli	compli	compli	compli	compli	compli
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最大时钟频率 (fCLK)	2 MHz	2 MHz	2 MHz	2 MHz	2 MHz	2 MHz	2 MHz	2 MHz
数据保留时间-最小值	40	40	40	40	40	40	40	40
耐久性	1000000 Write/Erase Cycles	1000000 Write/Erase Cycles	1000000 Write/Erase Cycles	1000000 Write/Erase Cycles	1000000 Write/Erase Cycles	1000000 Write/Erase Cycles	1000000 Write/Erase Cycles	1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8	S-PDSO-G8	R-PDSO-G8
JESD-609代码	e2	e2	e2	e2	e2	e2	e2	e2
长度	5 mm	5 mm	4.9 mm	4.4 mm	4.9 mm	4.4 mm	3 mm	2.9 mm
内存密度	16384 bi	16384 bi	16384 bi	16384 bi	16384 bi	16384 bi	16384 bi	16384 bi
内存集成电路类型	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM
内存宽度	16	16	16	16	16	16	16	16
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	8	8	8	8	8	8	8	8
字数	1024 words	1024 words	1024 words	1024 words	1024 words	1024 words	1024 words	1024 words
字数代码	1000	1000	1000	1000	1000	1000	1000	1000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	1KX16	1KX16	1KX16	1KX16	1KX16	1KX16	1KX16	1KX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOP	SOP	SOP	TSSOP	SOP	SSOP	TSSOP	VSSOP
封装等效代码	SOP8,.25	SOP8,.25	SOP8,.25	TSSOP8,.25	SOP8,.25	TSSOP8,.25	TSSOP8,.19	TSSOP8,.16
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	SQUARE	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE, SHRINK PITCH	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行	SERIAL	SERIAL	SERIAL	SERIAL	SERIAL	SERIAL	SERIAL	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	260	260	260	260	260
电源	2/5 V	2/5 V	2/5 V	2/5 V	2/5 V	2/5 V	2/5 V	2/5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
串行总线类型	MICROWIRE	MICROWIRE	MICROWIRE	MICROWIRE	MICROWIRE	MICROWIRE	MICROWIRE	MICROWIRE
最大待机电流	0.000002 A	0.000002 A	0.000002 A	0.000002 A	0.000002 A	0.000002 A	0.000002 A	0.000002 A
最大压摆率	0.0045 mA	0.0045 mA	0.0045 mA	0.0045 mA	0.0045 mA	0.0045 mA	0.0045 mA	0.0045 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Copper (Sn/Cu)	Tin/Copper (Sn/Cu)	Tin/Copper (Sn/Cu)	Tin/Copper (Sn/Cu)	Tin/Copper (Sn/Cu)	Tin/Copper (Sn/Cu)	Tin/Copper (Sn/Cu)	Tin/Copper (Sn97.5Cu2.5)
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	0.65 mm	1.27 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	10	10	10	10	10	10	10	10
宽度	4.4 mm	4.4 mm	3.9 mm	3 mm	3.9 mm	3 mm	3 mm	2.8 mm
最长写入周期时间 (tWC)	5 ms	5 ms	5 ms	5 ms	5 ms	5 ms	5 ms	5 ms
写保护	SOFTWARE	SOFTWARE	SOFTWARE	SOFTWARE	SOFTWARE	SOFTWARE	SOFTWARE	SOFTWARE
厂商名称	ROHM(罗姆半导体)	-	ROHM(罗姆半导体)	ROHM(罗姆半导体)	ROHM(罗姆半导体)	ROHM(罗姆半导体)	ROHM(罗姆半导体)	ROHM(罗姆半导体)
座面最大高度	1.6 mm	1.71 mm	-	1.2 mm	-	1.25 mm	1.1 mm	0.9 mm

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