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SK32BHR5

产品描述Schottky Diodes & Rectifiers 3A,20V, SMD SCHOTTKY RECTIFIER
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小261KB,共7页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
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SK32BHR5概述

Schottky Diodes & Rectifiers 3A,20V, SMD SCHOTTKY RECTIFIER

SK32BHR5规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明R-PDSO-C2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.5 V
JEDEC-95代码DO-214AA
JESD-30 代码R-PDSO-C2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流70 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
参考标准AEC-Q101
最大重复峰值反向电压20 V
最大反向电流500 µA
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
Base Number Matches1

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SK32B - SK320B
Taiwan Semiconductor
3A, 20V - 200V Surface Mount Schottky Barrier Rectifier
FEATURES
Low power loss, high efficiency
Ideal for automated placement
Guard ring for over-voltage protection
High surge current capability
Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and
in accordance to WEEE 2002/96/EC
● Halogen-free according to IEC 61249-2-21
KEY PARAMETERS
PARAMETER
I
F(AV)
V
RRM
I
FSM
Package
Configuration
VALUE
3
20 - 200
70
UNIT
A
V
A
DO-214AA (SMB)
Single Die
APPLICATIONS
Switching mode power supply (SMPS)
Adapters
Lighting application
Converter
MECHANICAL DATA
Case: DO-214AA (SMB)
Molding compound meets UL 94V-0 flammability rating
Part no. with suffix “H” means AEC-Q101 qualified
Packing code with suffix "G" means green compound
(halogen-free)
Moisture sensitivity level: level 1, per J-STD-020
Terminal: Matte tin plated leads, solderable per J-STD-002
Meet JESD 201 class 2 whisker test
Polarity: As marked
Weight: 0.1 g (approximately)
DO-214AA (SMB)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
A
= 25°C unless otherwise noted)
PARAMETER
Marking code on the device
Repetitive peak reverse voltage
Reverse voltage, total rms value
Maximum DC blocking voltage
Forward current
Surge peak forward current, 8.3 ms
single half sine-wave superimposed
on rated load per diode
Critical rate of rise of off-state voltage
Junction temperature
Storage temperature
V
RRM
V
R(RMS)
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
dV/dt
T
J
T
STG
- 55 to +125
SYMBOL
SK
32B
SK
32B
20
14
20
SK SK SK SK SK
SK
SK
SK
33B 34B 35B 36B 39B 310B 315B 320B
SK
SK
SK
SK
SK
SK
SK
SK
33B 34B 35B 36B 39B 310B 315B 320B
30
40
50
60
90
100
150
200
21
30
28
40
35
50
42
60
3
70
10000
- 55 to +150
- 55 to +150
63
90
70
100
105
150
140
200
UNIT
V
V
V
A
A
V/μs
°C
°C
1
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