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IFN5545TR

产品描述JFET N-Ch -50 JFET 1.5Vbr Dual -50pA 100dB
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小130KB,共1页
制造商InterFET
官网地址http://www.interfet.com/
标准
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IFN5545TR概述

JFET N-Ch -50 JFET 1.5Vbr Dual -50pA 100dB

IFN5545TR规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
InterFET
产品种类
Product Category
JFET
RoHSDetails
系列
Packaging
Reel
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
500

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8/2014
B47
IFN5545, IFN5546, IFN5547
N-Channel Dual Matched Silicon Junction Field-Effect Transistor
Absolute maximum ratings at T
A
= 25
o
C
·
·
Improved Replacement for the
2N5545, 2N5546, 2N5547
Differential Amplifier
Reverse Gate Source & Gate Drain Voltage
-50V
Continuous Forward Gate Current
30 mA
Continuous Device Power Dissipation
400 mW
Power Derating
2.67 mW/
o
C
Operating Temperature Range
-55°C to +125°C
Storage Temperature Range
-65
o
C to +150
o
C
IFN5545, IFN5546, IFN5547
Min
Typ
Max
Unit
-50
V
-100
pA
-150
nA
-0.5
-4.5
V
-50
pA
0.5
8
mA
1.5
6
25
6
2
3.2
5
180
200
IFN5545
5
10
5
mS
uS
pF
pF
dB
Process NJ32
Test Conditions
I
G
= -1 uA, V
DS
= 0 V
At 25
o
C free air temperature
Static Electrical Characteristics
Gate Source Breakdown Voltage
Gate Reverse Current
V
(BR)GSS
I
GSS
V
GS
= -30 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= 15 V, I
D
= 0.5 nA
V
DG
= 15 V, I
D
= 200 uA
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 15V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 15V, V
GS
= 0 V
V
DG
= 15 V, I
D
= 200 uA
150°C
Gate Source Cutoff Voltage
V
GS(OFF)
Gate Operating Current
I
G
Drain Saturation Current (pulsed) I
DSS
Dynamic Electrical Characteristics
Common-Source Forward
g
fs
Transconductance
Common-Source Output
g
os
Conductance
Common-Source Input
C
iss
Capacitance
Common-Source Reverse
C
rss
Transfer Capacitance
Spot Noise Factor
IFN5545
R
G
= 1 M
IFN5546
Equivalent Short Circuit IFN5545
Input Noise Voltage
IFN5546
1 kHz
1 MHz
1 MHz
1 MHz
10 Hz
100 Hz
NF
~e
N
nV/√Hz V
DG
= 15 V, I
D
= 200 uA
IFN5547
15
40
5
Units
mV
μV/°C
nA
Matching Characteristics
Differential Gate-Source Voltage
Differential Gate Source Voltage
with Temperature (-55, 25, 125°C)
Differential Gate Current
│V
GS1
-V
GS2
∆│V
GS1
-V
GS2
∆T
│ I
G1
- I
G2
IFN5546
10
20
5
Test Conditions
V
DG
= 15 V,
I
D
= -50 or 200 uA
V
DG
= 15 V,
I
D
= -200 uA
V
DG
= 15 V,
I
D
= 200 uA
Dimensions
in Inches
(mm)
SOIC-8 Package
SMP5545, SMP5546,
SMP5547
Pin Configuration
1-G1, 2-D1, 3-S1, 4-G2,
5-G2, 6-D2, 7-S2, 8-G1
TO-71
:
Pin Configuration
1-S1, 2-D1, 3-G1,
4-S2, 5-D2, 6-G2
IFN5545, IFN5546,
IFN5547
715 N. Glenville Dr., Ste. 400
Richardson, TX 75081
(972) 238-9700 Fax (972) 238-5338
www.interfet.com
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