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NTMFD5C650NLT1G

产品描述MOSFET T6 60V LL S08FL DS
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小129KB,共6页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
标准
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NTMFD5C650NLT1G在线购买

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NTMFD5C650NLT1G概述

MOSFET T6 60V LL S08FL DS

NTMFD5C650NLT1G规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
ON Semiconductor(安森美)
产品种类
Product Category
MOSFET
RoHSDetails
技术
Technology
Si
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
DFN-8
Number of Channels2 Channel
Transistor PolarityN-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage60 V
Id - Continuous Drain Current111 A
Rds On - Drain-Source Resistance4.2 mOhms
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage1.2 V
Vgs - Gate-Source Voltage20 V
Qg - Gate Charge37 nC
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 55 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
ConfigurationDual
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
125 W
Channel ModeEnhancement
系列
Packaging
Reel
Forward Transconductance - Min120 S
Fall Time13 ns
Rise Time24 ns
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
1500
Typical Turn-Off Delay Time37 ns
Typical Turn-On Delay Time13 ns
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