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SFF1605GHC0

产品描述Rectifiers 16A, 300V, 35NS, DUAL RECTIFIER ISOLATED
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小393KB,共4页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
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SFF1605GHC0概述

Rectifiers 16A, 300V, 35NS, DUAL RECTIFIER ISOLATED

SFF1605GHC0规格参数

参数名称属性值
厂商名称Taiwan Semiconductor
包装说明ITO-220AB, 3 PIN
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS, UL RECOGNIZED
应用EFFICIENCY
外壳连接ISOLATED
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.3 V
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流125 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流8 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
参考标准AEC-Q101
最大重复峰值反向电压300 V
最大反向电流10 µA
最大反向恢复时间0.035 µs
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE

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SFF1601G thru SFF1608G
Taiwan Semiconductor
CREAT BY ART
Isolated Glass Passivated Super Fast Rectifiers
FEATURES
- High efficiency, low VF.
- High current capavility
- High reliability
- High surge current capability
- Low power loss.
- UL Recognized File # E-326243
- Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and
in accordance to WEEE 2002/96/EC
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
ITO-220AB
MECHANICAL DATA
Case:
ITO-220AB
Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0
Base P/N with suffix "G" on packing code - (green compound) halogen-free
Base P/N with prefix "H" on packing code - AEC-Q101 qualified
Terminal:
Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102
Meet JESD 201 class 1A whisker test,
with prefix "H" on packing code meet JESD 201 class 2 whisker test
Polarity:
As marked
Mounting torque:
5 in-lbs maximum
Weight:
1.7 g (approximately)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
=25℃ unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
Peak forward surge current, 8.3 ms single half
sine-wave superimposed on rated load
Maximum instantaneous forward voltage (Note 1)
I
F
= 8 A
Maximum reverse current @ Rated V
R
Maximum reverse recovery time (Note 2)
Typical junction capacitance (Note 3)
Typical thermal resistance
Operating junction temperature range
Storage temperature range
Note 1: Pulse Test with PW=300μs, 1% Duty Cycle
Note 2: Reverse Recovery Test Conditions: I
F
=0.5A, I
R
=1.0A, I
RR
=0.25A.
Note 3: Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V D.C.
T
J
=25
T
J
=125
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
V
F
I
R
Trr
Cj
R
θJC
T
J
T
STG
80
1.5
- 55 to +150
- 55 to +150
0.975
10
400
35
50
O
SFF
50
35
50
SFF
100
70
100
SFF
150
105
150
SFF
200
140
200
16
125
SFF
300
210
300
SFF
400
280
400
SFF
500
350
500
SFF
600
420
600
1601G 1602G 1603G 1604G 1605G 1606G 1607G 1608G
UNIT
V
V
V
A
A
1.3
1.7
V
μA
ns
pF
C/W
O
O
C
C
Document Number: DS_D1405031
Version: H14
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