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IXFX21N100F

产品描述RF MOSFET Transistors IXFX21N100F F-Class HiPerRF Capable MOSFET IXFX21N100F IXYS
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小90KB,共2页
制造商IXYS
标准
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IXFX21N100F概述

RF MOSFET Transistors IXFX21N100F F-Class HiPerRF Capable MOSFET IXFX21N100F IXYS

IXFX21N100F规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明PLASTIC, PLUS247, 3 PIN
针数3
Reach Compliance Codecompliant
其他特性AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas)2500 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压1000 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)21 A
最大漏极电流 (ID)21 A
最大漏源导通电阻0.5 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSIP-T3
JESD-609代码e1
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)500 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)84 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

IXFX21N100F相似产品对比

IXFX21N100F
描述 RF MOSFET Transistors IXFX21N100F F-Class HiPerRF Capable MOSFET IXFX21N100F IXYS
是否无铅 不含铅
是否Rohs认证 符合
包装说明 PLASTIC, PLUS247, 3 PIN
针数 3
Reach Compliance Code compliant
其他特性 AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas) 2500 mJ
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 1000 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 21 A
最大漏极电流 (ID) 21 A
最大漏源导通电阻 0.5 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSIP-T3
JESD-609代码 e1
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 500 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 84 A
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
端子面层 Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
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端子位置 SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
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