RF MOSFET Transistors IXFX21N100F F-Class HiPerRF Capable MOSFET IXFX21N100F IXYS
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
包装说明 | PLASTIC, PLUS247, 3 PIN |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | compliant |
其他特性 | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas) | 2500 mJ |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 1000 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 21 A |
最大漏极电流 (ID) | 21 A |
最大漏源导通电阻 | 0.5 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 |
JESD-609代码 | e1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 500 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 84 A |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
IXFX21N100F | |
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描述 | RF MOSFET Transistors IXFX21N100F F-Class HiPerRF Capable MOSFET IXFX21N100F IXYS |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
包装说明 | PLASTIC, PLUS247, 3 PIN |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | compliant |
其他特性 | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas) | 2500 mJ |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 1000 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 21 A |
最大漏极电流 (ID) | 21 A |
最大漏源导通电阻 | 0.5 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 |
JESD-609代码 | e1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 500 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 84 A |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
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