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1N5400G R0

产品描述Rectifiers 3A, 50V, GLASS PASSIVATED RECTIFIER
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小165KB,共4页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
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1N5400G R0概述

Rectifiers 3A, 50V, GLASS PASSIVATED RECTIFIER

1N5400G R0规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
Taiwan Semiconductor
产品种类
Product Category
Rectifiers
RoHSDetails
安装风格
Mounting Style
Through Hole
封装 / 箱体
Package / Case
DO-201AD-2
Vr - Reverse Voltage50 V
If - Forward Current3 A
类型
Type
Standard Recovery Rectifiers
ConfigurationSingle
Vf - Forward Voltage1.1 V
Max Surge Current125 A
Ir - Reverse Current5 uA
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 65 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
系列
Packaging
Cut Tape
系列
Packaging
Reel
高度
Height
5.6 mm
长度
Length
9.5 mm
产品
Product
Rectifiers
宽度
Width
5.6 mm
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
1250
单位重量
Unit Weight
0.045151 oz

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1N5400G - 1N5408G
Taiwan Semiconductor
CREAT BY ART
3A, 50V - 1000V Glass Passivated Rectifiers
FEATURES
- Glass passivated chip junction
- High current capability, Low VF
- High reliability
- High surge current capability
- Low power loss, high efficiency
- Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and
in accordance to WEEE 2002/96/EC
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
MECHANICAL DATA
Case:
DO-201AD
Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0
Part No. with suffix "H" means AEC-Q101 qualified
Packing code with suffix "G" means green compound (halogen-free)
Terminal:
Pure tin plated leads, solderable per JESD22-B102
Meet JESD 201 class 2 whisker test
Weight:
1.2 g (approximately)
DO-201AD
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
=25°C unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load
Maximum instantaneous forward voltage (Note 1)
@3A
Maximum reverse current @ rated VR
Typical junction capacitance (Note 2)
Typical thermal resistance
Operating junction temperature range
Storage temperature range
Note1: Pulse Test with PW=300μs, 1% Duty Cycle
Note2: Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V D.C.
T
J
=25 °C
T
J
=125 °C
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
V
F
I
R
C
J
R
θJC
R
θJA
T
J
T
STG
1.1
5
100
25
15
45
- 55 to +150
- 55 to +150
1N
50
35
50
1N
100
70
100
1N
200
140
200
1N
400
280
400
3
125
1.0
1N
600
420
600
1N
800
560
800
1N
1000
700
1000
5400G 5401G 5402G 5404G 5406G 5407G 5408G
UNIT
V
V
V
A
A
V
μA
pF
°C/W
°C
°C
Document Number: DS_D1410023
Version: J15
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