EEPROM Microwire BUS 1Kbit(64x16bit)
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 包装说明 | VSSOP, |
| Reach Compliance Code | compliant |
| Factory Lead Time | 10 weeks |
| 其他特性 | IT ALSO OPERATES AT 1MHZ AT 1.7 MIN |
| 备用内存宽度 | 8 |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 3 MHz |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 长度 | 2.9 mm |
| 内存密度 | 1024 bit |
| 内存集成电路类型 | EEPROM |
| 内存宽度 | 16 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 8 |
| 字数 | 64 words |
| 字数代码 | 64 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 64X16 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | VSSOP |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
| 并行/串行 | SERIAL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 座面最大高度 | 0.9 mm |
| 串行总线类型 | 3-WIRE |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin (Sn) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 0.65 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 2.8 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 5 ms |
| Base Number Matches | 1 |
| BR93G46FVM-3GTTR | BR93G46FVT-3GE2 | BR93G46F-3GTE2 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | EEPROM Microwire BUS 1Kbit(64x16bit) | EEPROM Microwire BUS 1Kbit(64x16bit) | EEPROM Microwire BUS 1Kbit(64x16bit) |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 |
| 包装说明 | VSSOP, | TSSOP, | SOP, |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant |
| Factory Lead Time | 10 weeks | 11 weeks | 11 weeks |
| 其他特性 | IT ALSO OPERATES AT 1MHZ AT 1.7 MIN | IT ALSO OPERATES AT 1MHZ AT 1.7 MIN | IT ALSO OPERATES AT 1MHZ AT 1.7 MIN |
| 备用内存宽度 | 8 | 8 | 8 |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 3 MHz | 3 MHz | 3 MHz |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 | R-PDSO-G8 | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码 | e3 | e3 | e3 |
| 长度 | 2.9 mm | 4.4 mm | 5 mm |
| 内存密度 | 1024 bit | 1024 bit | 1024 bit |
| 内存集成电路类型 | EEPROM | EEPROM | EEPROM |
| 内存宽度 | 16 | 16 | 16 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 8 | 8 | 8 |
| 字数 | 64 words | 64 words | 64 words |
| 字数代码 | 64 | 64 | 64 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | -40 °C |
| 组织 | 64X16 | 64X16 | 64X16 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | VSSOP | TSSOP | SOP |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE, SHRINK PITCH | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行 | SERIAL | SERIAL | SERIAL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 座面最大高度 | 0.9 mm | 1.2 mm | 1.71 mm |
| 串行总线类型 | 3-WIRE | 3-WIRE | 3-WIRE |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | YES | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin (Sn) | Tin (Sn) | Tin (Sn) |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
| 端子节距 | 0.65 mm | 0.65 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 2.8 mm | 3 mm | 4.4 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 5 ms | 5 ms | 5 ms |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 |
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