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GS76024AGB-12: 产品描述SRAM 3.3V 256K x 24 6M C Temp; 产品类别存储存储; 文件大小301KB，共12页; 制造商GSI Technology; 官网地址http://www.gsitechnology.com/; 标准

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GS76024AGB-12概述

SRAM 3.3V 256K x 24 6M C Temp

GS76024AGB-12规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	GSI Technology
零件包装代码	BGA
包装说明	BGA,
针数	119
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.B
Factory Lead Time	25 weeks 5 days
最长访问时间	12 ns
JESD-30 代码	R-PBGA-B119
JESD-609代码	e1
长度	22 mm
内存密度	6291456 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	24
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端子数量	119
字数	262144 words
字数代码	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	256KX24
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.99 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	TIN SILVER COPPER
端子形式	BALL
端子节距	1.27 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	14 mm

GS76024AGB-12相似产品对比

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描述	SRAM 3.3V 256K x 24 6M C Temp	SRAM 3.3V 256K x 24 6M I Temp	SRAM 3.3V 256K x 24 6M I Temp	SRAM 3.3V 256K x 24 6M I Temp	SRAM 3.3V 256K x 24 6M C Temp	SRAM 3.3V 256K x 24 6M I Temp	SRAM 3.3V 256K x 24 6M C Temp
是否无铅	不含铅	含铅	不含铅	不含铅	不含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	符合	不符合	符合	符合	符合	不符合	不符合
厂商名称	GSI Technology	GSI Technology	GSI Technology	GSI Technology	GSI Technology	GSI Technology	GSI Technology
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA
包装说明	BGA,	BGA,	BGA,	BGA,	BGA,	BGA,	BGA,
针数	119	119	119	119	119	119	119
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B
Factory Lead Time	25 weeks 5 days	12 weeks	25 weeks 5 days	25 weeks 5 days	25 weeks 5 days	25 weeks 5 days	25 weeks 5 days
最长访问时间	12 ns	10 ns	10 ns	12 ns	10 ns	12 ns	12 ns
JESD-30 代码	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119
JESD-609代码	e1	e0	e1	e1	e1	e0	e0
长度	22 mm	22 mm	22 mm	22 mm	22 mm	22 mm	22 mm
内存密度	6291456 bit	6291456 bit	6291456 bit	6291456 bit	6291456 bit	6291456 bit	6291456 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	24	24	24	24	24	24	24
湿度敏感等级	3	3	3	3	3	3	3
功能数量	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	119	119	119	119	119	119	119
字数	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words
字数代码	256000	256000	256000	256000	256000	256000	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	85 °C	85 °C	85 °C	70 °C	85 °C	70 °C
最低工作温度	-	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-	-40 °C	-
组织	256KX24	256KX24	256KX24	256KX24	256KX24	256KX24	256KX24
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260	NOT SPECIFIED	260	260	260	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.99 mm	1.99 mm	1.99 mm	1.99 mm	1.99 mm	1.99 mm	1.99 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL
端子面层	TIN SILVER COPPER	TIN LEAD	TIN SILVER COPPER	TIN SILVER COPPER	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	TIN LEAD	TIN LEAD
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm

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