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GS8644Z18GE-200

产品描述SRAM 2.5 or 3.3V 4M x 18 72M
产品类别存储    存储   
文件大小529KB,共31页
制造商GSI Technology
官网地址http://www.gsitechnology.com/
标准
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GS8644Z18GE-200在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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GS8644Z18GE-200概述

SRAM 2.5 or 3.3V 4M x 18 72M

GS8644Z18GE-200规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称GSI Technology
零件包装代码BGA
包装说明BGA, BGA165,11X15,40
针数165
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.B
Factory Lead Time8 weeks
最长访问时间6.5 ns
其他特性ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY; PIPELINED OR FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)200 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PBGA-B165
JESD-609代码e1
长度17 mm
内存密度75497472 bit
内存集成电路类型ZBT SRAM
内存宽度18
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量165
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4MX18
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装等效代码BGA165,11X15,40
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源2.5/3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.5 mm
最大待机电流0.12 A
最小待机电流2.3 V
最大压摆率0.315 mA
最大供电电压 (Vsup)2.7 V
最小供电电压 (Vsup)2.3 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度15 mm
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