1M X 18 ZBT SRAM, 3.4 ns, PQFP100
1M × 18 ZBT 静态随机存储器, 3.4 ns, PQFP100
参数名称 | 属性值 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 100 |
最大工作温度 | 70 Cel |
最小工作温度 | 0.0 Cel |
最大供电/工作电压 | 2.62 V |
最小供电/工作电压 | 2.38 V |
额定供电电压 | 2.5 V |
最大存取时间 | 3.4 ns |
加工封装描述 | 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, PLASTIC, MS-026, TQFP-100 |
无铅 | Yes |
欧盟RoHS规范 | Yes |
中国RoHS规范 | Yes |
状态 | ACTIVE |
工艺 | CMOS |
包装形状 | RECTANGULAR |
包装尺寸 | FLATPACK, LOW PROFILE |
表面贴装 | Yes |
端子形式 | GULL WING |
端子间距 | 0.6500 mm |
端子涂层 | NICKEL PALLADIUM GOLD |
端子位置 | QUAD |
包装材料 | PLASTIC/EPOXY |
温度等级 | COMMERCIAL |
内存宽度 | 18 |
组织 | 1M X 18 |
存储密度 | 1.89E7 deg |
操作模式 | SYNCHRONOUS |
位数 | 1.05E6 words |
位数 | 1M |
内存IC类型 | ZBT SRAM |
串行并行 | PARALLEL |
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