2M X 18 ZBT SRAM, 3.2 ns, PQFP100
2M × 18 ZBT 静态随机存储器, 3.2 ns, PQFP100
| 参数名称 | 属性值 |
| 最大时钟频率 | 200 MHz |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 100 |
| 最小工作温度 | 0.0 Cel |
| 最大工作温度 | 70 Cel |
| 额定供电电压 | 2.5 V |
| 最小供电/工作电压 | 2.38 V |
| 最大供电/工作电压 | 2.62 V |
| 加工封装描述 | 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, PLASTIC, MS-026, TQFP-100 |
| each_compli | Yes |
| 欧盟RoHS规范 | Yes |
| 中国RoHS规范 | Yes |
| 状态 | Active |
| sub_category | SRAMs |
| ccess_time_max | 3.2 ns |
| i_o_type | COMMON |
| jesd_30_code | R-PQFP-G100 |
| jesd_609_code | e4 |
| 存储密度 | 3.77E7 bi |
| 内存IC类型 | ZBT SRAM |
| 内存宽度 | 18 |
| moisture_sensitivity_level | 3 |
| 位数 | 2.10E6 words |
| 位数 | 2M |
| 操作模式 | SYNCHRONOUS |
| 组织 | 2MX18 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 包装材料 | PLASTIC/EPOXY |
| ckage_code | LQFP |
| ckage_equivalence_code | QFP100,.63X.87 |
| 包装形状 | RECTANGULAR |
| 包装尺寸 | FLATPACK, LOW PROFILE |
| 串行并行 | PARALLEL |
| eak_reflow_temperature__cel_ | 260 |
| wer_supplies__v_ | 1.8/2.5,2.5 |
| qualification_status | COMMERCIAL |
| seated_height_max | 1.6 mm |
| standby_current_max | 0.1200 Am |
| standby_voltage_mi | 2.38 V |
| 最大供电电压 | 0.3850 Am |
| 表面贴装 | YES |
| 工艺 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子涂层 | NICKEL PALLADIUM GOLD |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子间距 | 0.6500 mm |
| 端子位置 | QUAD |
| ime_peak_reflow_temperature_max__s_ | 20 |
| length | 20 mm |
| width | 14 mm |
| dditional_feature | PIPELINED ARCHITECTURE |
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