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DZB11C

产品描述9.1 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小34KB,共2页
制造商SANYO
官网地址http://www.semic.sanyo.co.jp/english/index-e.html
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DZB11C概述

9.1 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE

DZB11C规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明O-PALF-W2
针数2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗30 Ω
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散1 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压11 V
表面贴装NO
技术ZENER
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最大电压容差4.55%
工作测试电流10 mA
Base Number Matches1

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Ordering number :EN653F
DZB6.2 to DZB30
Sillicon Diffused Junction Type
1.0W Zener Diodes
Features
· Plastic molded structure.
· Voltage regulator use.
· Power dissipation:P=1.0W.
· Zener voltage:VZ=6.2 to 30V
Package Dimensions
unit:mm
1083
[DZB6.2 to DZB30]
C:Cathode
A:Anode
Specifications
Absolute Maximum Ratings
at Ta = 25˚C
Parameter
Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
Symbol
P
Tj
Tstg
Conditions
Ratings
1.0
150
–40 to +150
Unit
W
˚C
˚C
Electrical Characteristics
at Ta = 25˚C
Type No.
Zener Characteristics
Zener Voltage
VZ
[V]
typ
DZB6.2U
6.8C
7.5C
8.2C
9.1C
10C
11C
12C
13C
15C
16C
18C
20C
22C
24C
27C
30C
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
min
5.60
6.45
7.13
7.79
8.65
9.50
10.50
11.40
12.40
14.30
15.20
17.10
19.00
20.90
22.80
25.70
28.50
max
6.80
7.14
7.81
8.61
9.55
10.50
11.50
12.60
13.60
15.80
16.80
18.90
21.00
23.10
25.20
28.30
31.50
Dynamic
Resistance
[Ω]
max
60
60
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
Measured
Current
IZ
[mA]
–10
–10
–10
–10
–10
–10
–10
–10
–10
–10
–10
–10
–10
–10
–10
–10
–10
VF
[V]
max
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
Forward Voltage Drop
Measured
Current
[A]
IR
[µA]
max
–10
–10
–10
–10
–10
–10
–10
–10
–10
–10
–10
–10
–10
–10
–10
–10
–10
–2.0
–3.0
–4.5
–4.9
–5.5
–6.0
–7.0
–8.0
–9.0
–10.0
–11.0
–13.0
–14.0
–16.0
–17.0
–19.0
–21.0
Reverse Current
Measured
Voltage
[V]
SANYO Electric Co.,Ltd. Semiconductor Bussiness Headquarters
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN
33098HA (KT)/13196GI/2089TA/1199MO/9205KI, TS No.653-1/2

 
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