MOSFET MOSFET
参数名称 | 属性值 |
Brand Name | Renesas |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Renesas(瑞萨电子) |
零件包装代码 | LFPAK |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4 |
针数 | 5 |
制造商包装代码 | PTZZ0005DA-A5 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 30 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 55 A |
最大漏极电流 (ID) | 55 A |
最大漏源导通电阻 | 0.0053 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PSSO-G4 |
JESD-609代码 | e4 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 4 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 30 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 220 A |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 20 |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved