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BR25H128FJ-2CE2

产品描述EEPROM, 16KX8, Serial, CMOS, PDSO8, SOP-8
产品类别存储    存储   
文件大小613KB,共34页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
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BR25H128FJ-2CE2在线购买

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BR25H128FJ-2CE2概述

EEPROM, 16KX8, Serial, CMOS, PDSO8, SOP-8

BR25H128FJ-2CE2规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Objectid1335362024
包装说明LSOP, SOP8,.25
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time16 weeks
Samacsys DescriptionROHM BR25H128FJ-2CE2, 128kbit EEPROM Memory 8-Pin SOP-J
Samacsys ManufacturerROHM Semiconductor
Samacsys Modified On2021-05-26 09:51:02
YTEOL6.4
其他特性IT ALSO HAVE FREQUENCY 5 MHZ OPERATES AT 2.5 TO 5.5 V SUPPLY VOLTAGE; SEATED HGT CALCULATED
最大时钟频率 (fCLK)10 MHz
数据保留时间-最小值100
耐久性1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-PDSO-G8
长度4.9 mm
内存密度131072 bit
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量8
字数16384 words
字数代码16000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
组织16KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LSOP
封装等效代码SOP8,.25
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, LOW PROFILE
并行/串行SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3/5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别AEC-Q100
座面最大高度1.65 mm
串行总线类型SPI
最大待机电流0.00001 A
最大压摆率0.0055 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级AUTOMOTIVE
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度3.9 mm
最长写入周期时间 (tWC)4 ms
写保护HARDWARE/SOFTWARE

BR25H128FJ-2CE2相似产品对比

BR25H128FJ-2CE2 BR25H128F-2CE2
描述 EEPROM, 16KX8, Serial, CMOS, PDSO8, SOP-8 EEPROM, 16KX8, Serial, CMOS, PDSO8, SOP-8
是否Rohs认证 符合 符合
Objectid 1335362024 1335362023
包装说明 LSOP, SOP8,.25 SOP, SOP8,.25
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
Factory Lead Time 16 weeks 16 weeks
Samacsys Manufacturer ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor
Samacsys Modified On 2021-05-26 09:51:02 2020-01-16 20:52:27
YTEOL 6.4 6.4
其他特性 IT ALSO HAVE FREQUENCY 5 MHZ OPERATES AT 2.5 TO 5.5 V SUPPLY VOLTAGE; SEATED HGT CALCULATED IT ALSO HAVE FREQUENCY 5 MHZ OPERATES AT 2.5 TO 5.5 V SUPPLY VOLTAGE; SEATED HGT CALCULATED
最大时钟频率 (fCLK) 10 MHz 10 MHz
数据保留时间-最小值 100 100
耐久性 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8
长度 4.9 mm 5 mm
内存密度 131072 bit 131072 bit
内存集成电路类型 EEPROM EEPROM
内存宽度 8 8
功能数量 1 1
端子数量 8 8
字数 16384 words 16384 words
字数代码 16000 16000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 125 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
组织 16KX8 16KX8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 LSOP SOP
封装等效代码 SOP8,.25 SOP8,.25
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, LOW PROFILE SMALL OUTLINE
并行/串行 SERIAL SERIAL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 3/5 V 3/5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
筛选级别 AEC-Q100 AEC-Q100
座面最大高度 1.65 mm 1.71 mm
串行总线类型 SPI SPI
最大待机电流 0.00001 A 0.00001 A
最大压摆率 0.0055 mA 0.0055 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V
表面贴装 YES YES
技术 CMOS CMOS
温度等级 AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE
端子形式 GULL WING GULL WING
端子节距 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 3.9 mm 4.4 mm
最长写入周期时间 (tWC) 4 ms 4 ms
写保护 HARDWARE/SOFTWARE HARDWARE/SOFTWARE

 
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