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SMBJ13CAHR4

产品描述ESD Suppressors / TVS Diodes 600W,13V,5%,BIDIR, TVS
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小280KB,共8页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
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SMBJ13CAHR4概述

ESD Suppressors / TVS Diodes 600W,13V,5%,BIDIR, TVS

SMBJ13CAHR4规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Taiwan Semiconductor
包装说明R-PDSO-C2
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
其他特性EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY
最大击穿电压15.9 V
最小击穿电压14.4 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码DO-214AA
JESD-30 代码R-PDSO-C2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值反向功率耗散600 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性BIDIRECTIONAL
最大功率耗散3 W
参考标准AEC-Q101
最大重复峰值反向电压13 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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SMBJ SERIES
Taiwan Semiconductor
600W, 5V - 170V Surface Mount Transient Voltage Suppressor
FEATURES
Low profile package
Ideal for automated placement
Glass passivated junction
Built-in strain relief
Excellent clamping capability
Fast response time: Typically less than 1.0ps
Typical I
R
less than 1μA above 10V
Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and
in accordance to WEEE 2002/96/EC
● Halogen-free according to IEC 61249-2-21
KEY PARAMETERS
PARAMETER
V
WM
V
BR
(uni - directional)
V
BR
(bi - directional)
P
PPSM
T
J MAX
Package
Configuration
VALUE
2
5 - 170
5 - 170
600
150
UNIT
V
V
V
W
°C
DO-214AA (SMB)
Single Die
APPLICATIONS
● Switching mode power supply (SMPS)
MECHANICAL DATA
● Case: DO-214AA (SMB)
● Molding compound meets UL 94V-0 flammability rating
● Packing code with suffix "G" means green compound
(halogen-free)
● Part no. with suffix “H” means AEC-Q101 qualified
● Terminal: Matte tin plated leads, solderable per J-STD-002
● Meet JESD 201 class 2 whisker test
● Polarity: As marked
● Weight: 0.09 g (approximately)
DO-214AA (SMB)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
A
= 25°C unless otherwise noted)
PARAMETER
Non-repetitive peak impulse power dissipation with
(1)
10/1000us waveform
Steady state power dissipation at
Forward Voltage @ I
F
=50A for Uni-directional only
Junction temperature
(2)
SYMBOL
P
PPSM
P
tot
V
F
T
J
Part Number
600
3
3.5 / 5.0
- 55 to +150
UNIT
W
W
V
°C
°C
Storage temperature
T
STG
- 55 to +150
Notes:
1.
Non-repetitive Current Pulse Per Fig. 3 and derated above T
A
=25°C Per Fig. 2
2.
V
F
=3.5V on SMBJ5.0 - SMBJ90 Devices and V
F
=5.0V on SMBJ100 - SMBJ170 Devices
Devices for Bipolar Applications
1.
For Bidirectional Use C or CA Suffix for Types SMBJ5.0 - Types SMBJ170
2.
Electrical Characteristics Apply in Both Directions
1
Version:O1701
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