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RN5001

产品描述Motor Drive Circuit Applications Power Amplifier Applications Power Switching Applications
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小133KB,共4页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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RN5001概述

Motor Drive Circuit Applications Power Amplifier Applications Power Switching Applications

RN5001规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码SC-62
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)2 A
集电极-发射极最大电压30 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)50
JESD-30 代码R-PSSO-F3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值1 W
最大功率耗散 (Abs)0.5 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式FLAT
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)120 MHz
VCEsat-Max0.5 V
Base Number Matches1

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RN5001
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
RN5001
Motor Drive Circuit Applications
Power Amplifier Applications
Power Switching Applications
l
With built-in bias resistors
l
Simplify circuit design
l
Reduce a quantity of parts and manufacturing process
l
Small flat package
l
P
C
= 1~2W (mounted on ceramic substrate)
l
Complementary to RN6001
Unit: mm
Equivalent Circuit
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
Weight: 0.05g (typ.)
SC-62
2-5K1A
Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Characteristic
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Base current
Collector power dissipation
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
B
P
C
P
C
*
T
j
T
stg
Rating
30
30
5
2
0.4
500
1000
150
−55~150
Unit
V
V
V
A
A
mW
mW
°C
°C
Marking
*
: Mounterd on ceramic substrate (250mm
2
× 0.8t)
1
2001-10-29

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