UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
超高频波段, 硅, N沟道, 射频功率, 场效应管
参数名称 | 属性值 |
端子数量 | 4 |
最小击穿电压 | 65 V |
加工封装描述 | PLASTIC, M252, 2 PIN |
无铅 | Yes |
欧盟RoHS规范 | Yes |
状态 | ACTIVE |
包装形状 | RECTANGULAR |
包装尺寸 | FLANGE MOUNT |
表面贴装 | Yes |
端子形式 | FLAT |
端子涂层 | NOT SPECIFIED |
端子位置 | DUAL |
包装材料 | PLASTIC/EPOXY |
结构 | SINGLE |
壳体连接 | SOURCE |
元件数量 | 1 |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON |
通道类型 | N-CHANNEL |
场效应晶体管技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
操作模式 | ENHANCEMENT |
晶体管类型 | RF POWER |
最大漏电流 | 14 A |
最高频带 | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved