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DB-960-60W

产品描述UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小239KB,共5页
制造商ETC
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DB-960-60W概述

UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET

超高频波段, 硅, N沟道, 射频功率, 场效应管

DB-960-60W规格参数

参数名称属性值
端子数量4
最小击穿电压65 V
加工封装描述PLASTIC, M252, 2 PIN
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
状态ACTIVE
包装形状RECTANGULAR
包装尺寸FLANGE MOUNT
表面贴装Yes
端子形式FLAT
端子涂层NOT SPECIFIED
端子位置DUAL
包装材料PLASTIC/EPOXY
结构SINGLE
壳体连接SOURCE
元件数量1
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
通道类型N-CHANNEL
场效应晶体管技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
操作模式ENHANCEMENT
晶体管类型RF POWER
最大漏电流14 A
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND

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