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APT35GP120J: 产品描述IGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小94KB，共7页; 制造商Microsemi; 官网地址https://www.microsemi.com; 标准

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IGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	ISOTOP
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4
针数	4
制造商包装代码	ISOTOP
Reach Compliance Code	compliant
其他特性	ULTRA FAST, LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)	64 A
集电极-发射极最大电压	1200 V
配置	SINGLE
门极发射器阈值电压最大值	6 V
门极-发射极最大电压	20 V
JESD-30 代码	R-PUFM-X4
JESD-609代码	e1
元件数量	1
端子数量	4
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	284 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	UNSPECIFIED
端子位置	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	POWER CONTROL
晶体管元件材料	SILICON
标称断开时间 (toff)	222 ns
标称接通时间 (ton)	36 ns
Base Number Matches	1

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