Bipolar Transistors - BJT NPN 120V Vceo 700mA Ic MPT3
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | ROHM(罗姆半导体) |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 13 weeks |
| 外壳连接 | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.7 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 120 V |
| 配置 | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 180 |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-F3 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | NPN |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Tin (Sn) |
| 端子形式 | FLAT |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 220 MHz |
| 2SCR372P5T100R | 2SCR372P5T100Q | |
|---|---|---|
| 描述 | Bipolar Transistors - BJT NPN 120V Vceo 700mA Ic MPT3 | Bipolar Transistors - BJT NPN 120V Vceo 700mA Ic MPT3 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | ROHM(罗姆半导体) | ROHM(罗姆半导体) |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 13 weeks | 13 weeks |
| 外壳连接 | COLLECTOR | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.7 A | 0.7 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 120 V | 120 V |
| 配置 | SINGLE | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 180 | 120 |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-F3 | R-PSSO-F3 |
| JESD-609代码 | e3 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 | 1 |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 3 | 3 |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | NPN | NPN |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 端子面层 | Tin (Sn) | Tin (Sn) |
| 端子形式 | FLAT | FLAT |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | AMPLIFIER | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 220 MHz | 220 MHz |
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