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C1812N473K1XRH

产品描述Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT .047UF 100V
产品类别无源元件    电容器   
文件大小1MB,共10页
制造商KEMET(基美)
官网地址http://www.kemet.com
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C1812N473K1XRH概述

Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT .047UF 100V

C1812N473K1XRH规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称KEMET(基美)
包装说明, 1812
Reach Compliance Codenot_compliant
电容0.047 µF
电容器类型CERAMIC CAPACITOR
介电材料CERAMIC
高度1.5 mm
JESD-609代码e0
长度4.5 mm
负容差10%
端子数量2
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装形式SMT
包装方法Bulk
正容差10%
额定(直流)电压(URdc)100 V
参考标准MIL-PRF-55681
系列C(SIZE)N
尺寸代码1812
温度特性代码BX
温度系数-/+15ppm/Cel ppm/°C
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb) - with Nickel (Ni) barrier
宽度3.2 mm
怎么避免前级直流偏置耦合到后级放大电路中?
用阻容耦合吗?好像没什么效果,电路很简单就两个运放,如下:第一级是用AD8099搭的10倍放大的运放,然后把信号输入到放大100倍的二级放大中去,理论上调R8的阻值可以减小直流偏置,我看书上写的取值大概为R4//R5,但是我取200左右时,输入端直流偏置的仿真很大,到几百MV,因为后面还要做几级放大,所以必须设法消除这个偏置。还有我加的电容C16,好像没有起太大的作用啊?为什么?...
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