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RN262G

产品描述SILICON, PIN DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小122KB,共3页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
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RN262G概述

SILICON, PIN DIODE

RN262G规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ROHM(罗姆半导体)
包装说明R-PDSO-F2
针数2
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
应用SWITCHING
最小击穿电压30 V
配置SINGLE
最大二极管电容0.4 pF
标称二极管电容0.4 pF
二极管元件材料SILICON
最大二极管正向电阻1.5 Ω
二极管电阻测试电流3 mA
二极管电阻测试频率100 MHz
二极管类型PIN DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-F2
JESD-609代码e2
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
最大功率耗散0.1 W
认证状态Not Qualified
反向测试电压1 V
表面贴装YES
技术POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE
端子面层Tin/Copper (Sn/Cu)
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10

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RN262G
Diodes
PIN diode
RN262G
Applications
High frequency switching
External dimensions
(Unit : mm)
0.6±0.05
0.13±0.03
Land size figure
(Unit : mm)
0.5
0.5
Features
1) Ultra small mold type. (VMD2)
2) Low high-frequency forward resistance / low
capacitance (C
T
).
1.0±0.05
1.4±0.05
VMD2
Construction
Silicon epitaxial planar
0.27±0.03
Structure
0.5±0.05
ROHM : VMD2
dot (year week factory)
Taping dimensions
(Unit : mm)
0.18±0.05
4±0.1
2±0.05
φ1.5+0.1
     0
1.75±0.1
3.5±0.05
1.11±0.05
2.1±0.1
φ0.5
0.76±0.1
4±0.1
2±0.05
0.4
8.0±0.3
0.1
0.3
0.65±0.05
Absolute maximum ratings
(Ta=25°C)
Parameter
Symbol
V
R
Reverse voltage
I
F
Forward current
Power dissipation
Pd
Junction temperature
Tj
Storage temperature
Tstg
Limits
30
100
100
150
-55 to +150
Unit
V
mA
mA
Electrical characteristics
(Ta=25°C)
Parameter
Symbol
V
F
Forward voltage
I
R
Reverse current
Capacitance between terminals
High frequency resistance
Ct
Rf
Min.
-
-
-
-
-
Typ.
-
-
-
-
-
Max.
1
0.1
0.4
2.8
1.5
Unit
V
µA
pF
Ω
Ω
Conditions
I
F
=10mA
V
R
=30V
V
R
=1V , f=1MHz
I
F
=3mA,f=100MHz
I
F
=10mA,f=100MHz
1.2
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