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RB851Y

产品描述0.03 A, 3 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小128KB,共3页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
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RB851Y概述

0.03 A, 3 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE

RB851Y规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ROHM(罗姆半导体)
零件包装代码SC-75A
包装说明R-PDSO-F4
针数4
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.46 V
JESD-30 代码R-PDSO-F4
JESD-609代码e2
湿度敏感等级1
元件数量2
端子数量4
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
最大输出电流0.03 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压3 V
最大反向电流0.7 µA
反向测试电压1 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子面层Tin/Copper (Sn/Cu)
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10

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RB851Y
Diodes
Schottky barrier diode
RB851Y
Applications
High frequency detection
External dimensions
(Unit : mm)
Land size figure
(Unit : mm)
0.5
0.22±0.05
0.13±0.05
(3)
Features
1) Ultra small mold type. (EMD4)
2) Low Ct and high detection efficiency.
0.45
1.6±0.1
(4)
1.2±0.1
1.6±0.1
1.0
0½0.1
EMD4
(1)
(2)
Construction
Silicon epitaxial planar
Structure
0.5
1.0±0.1
0.5
0.5±0.05
ROHM : EMD4
JEITA : SC-75A Size
dot (year week factory)
Taping specifications
(Unit : mm)
4.0±0.1
2.0±0.05
φ1.5±0.1
      0
1.75±0.1
0.3±0.1
3.5±0.05
1.65±0.1
5.5±0.2
8.0±0.2
1.65±0.1
1PIN
4.0±0.1
φ0.8±0.1
0½0.1
0.65±0.1
Absolute maximum ratings
(Ta=25°C)
Param eter
Revers e voltage (repetitive peak)
Revers e voltage (DC)
Junction tem perature
Storage tem perature
(*1) Rating of per diode
Sym bol
V
R
I
F
Tj
Ts tg
Lim its
3
30
125
-40 to +125
Unit
V
mA
Electrical characteristics
(Ta=25°C)
Param eter
Forward voltage
Re vers e current
Capacitance between term inal
Sym bol
V
F
I
R
Ct
Min.
-
-
-
Typ.
-
-
0.8
Max.
0.46
0.7
-
Unit
V
µA
pF
I
F
=1m A
V
R
=1V
V
R
=0V , f=1MHz
Conditions
Rev.A
1.65±0.01
1.55
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