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RB751G-40

产品描述0.3 A, 40 V, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小220KB,共4页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
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RB751G-40概述

0.3 A, 40 V, SILICON, SIGNAL DIODE

RB751G-40规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ROHM(罗姆半导体)
包装说明R-PDSO-F2
针数2
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.37 V
JESD-30 代码R-PDSO-F2
JESD-609代码e2
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流0.2 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度125 °C
最大输出电流0.03 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压40 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子面层Tin/Copper (Sn/Cu)
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10

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RB751G-40
Diodes
Schottky barrier diode
RB751G-40
Applications
General rectification
External dimensions
(Unit : mm)
寸法図(
0.6±0.05
0.13±0.03
Land size figure
0.5
0.5
Features
1) Small power mold type.
(VMD2)
2) Low V
F
3) High reliability
1.0±0.05
1.4±0.05
VMD2
Construction
Silicon epitaxial planar
0.27±0.03
Structure
0.5±0.05
ROHM : VMD2
dot (year week factory)
Taping dimensions
(Unit : mm)
0.18±0.05
4±0.1
2±0.05
φ1.5+0.1
     0
1.75±0.1
3.5±0.05
1.11±0.05
2.1±0.1
φ0.5
0.76±0.1
4±0.1
2±0.05
0.4
8.0±0.3
0.1
1.2
0.3
0.65±0.05
Absolute maximum ratings
(Ta=25°C)
Parameter
Reverse voltage (repetitive peak)
Reverse voltage (DC)
Average rectified forward current
Forward current surge peak
(60Hz・1cyc)
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
V
RM
V
R
Io
I
FSM
Tj
Tstg
Limits
40
30
30
200
125
-40 to +125
Unit
V
V
mA
mA
Electrical characteristic
(Ta=25°C)
Parameter
Forward voltage
Reverse current
Capacitance between terminals
Symbol
V
F
I
R
Ct
Min.
-
-
-
Typ.
-
-
2
Max.
0.37
0.5
-
Unit
V
µA
pF
Conditions
I
F
=1mA
V
R
=30V
V
R
=1V , f=1MHz
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1/3
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