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RB520S-30

产品描述0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小127KB,共4页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
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RB520S-30概述

0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE

RB520S-30规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ROHM(罗姆半导体)
零件包装代码SC-79
包装说明R-PDSO-F2
针数2
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.6 V
JESD-30 代码R-PDSO-F2
JESD-609代码e1
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流0.5 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度125 °C
最大输出电流0.2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压35 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10

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RB520S-30
Diodes
Schottky barrier diode
RB520S-30
Applications
Low current rectification
External dimensions
(Unit : mm)
0.8±0.05
0.12±0.05
Land size figure
(Unit : mm)
0.8
1.2±0.05
1.6±0.1
Features
1) Ultra Small mold type. (EMD2)
2) Low I
R
.
3) High reliability.
0.6
EMD2
Structure
Construction
Silicon epitaxial planar
0.3±0.05
ROHM : EMD2
JEDEC :SOD-523
JEITA : SC-79
dot (year week factory)
0.6±0.1
Taping specifications
(Unit : mm)
4.0±0.1
2.0±0.05
φ1.5±0.05
0.2±0.05
3.5± 0.05
1.75±0.1
8.0±0.15
1.3±0.06
0
φ0.5
0.95±0.06
0
空ポケット
Empty pocket
4.0±0.1
2.0±0.05
1.26±0.05
0
2.45±0.1
0.6
0.2
0.76±0.05
Absolute maximum ratings
(Ta=25°C)
Parameter
Reverse voltage (DC)
Average rectified forward current
Forward current surge peak
(60Hz・1cyc)
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
V
R
Io
I
FSM
Tj
Tstg
Limits
30
200
1
150
-40 to +125
Unit
V
mA
A
Electrical characteristics
(Ta=25°C)
Parameter
Forward voltage
Reverse current
Symbol
V
F
I
R
Min.
-
-
Typ.
-
-
Max.
0.6
1
Unit
V
µA
Conditions
I
F
=200mA
V
R
=10V
1.7
Rev.B
1/3
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