QUAD 1-CHANNEL, SGL POLE SGL THROW SWITCH, CDFP16, CERAMIC, DFP-16
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Renesas(瑞萨电子) |
| 零件包装代码 | DFP |
| 包装说明 | DFP, FL16,.25 |
| 针数 | 16 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| 模拟集成电路 - 其他类型 | SPST |
| JESD-30 代码 | R-GDFP-F16 |
| JESD-609代码 | e4 |
| 负电源电压最大值（Vsup） | -15 V |
| 负电源电压最小值（Vsup） | -10 V |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15 V |
| 正常位置 | NC |
| 信道数量 | 1 |
| 功能数量 | 4 |
| 端子数量 | 16 |
| 最大通态电阻 (Ron) | 75 Ω |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 输出 | COMMON OUTPUT |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DFP |
| 封装等效代码 | FL16,.25 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLATPACK |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | +-15 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | MIL-PRF-38535 Class Q |
| 座面最大高度 | 2.92 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 15 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 10 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15 V |
| 表面贴装 | YES |
| 最长断开时间 | 80 ns |
| 最长接通时间 | 110 ns |
| 切换 | BREAK-BEFORE-MAKE |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | GOLD |
| 端子形式 | FLAT |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 总剂量 | 300k Rad(Si) V |
| 宽度 | 6.73 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| 5962F9961801QXC | 5962F9961801QEC | 5962F9961801VXC | 5962F9961801VEC | 5962F9961801V9A | |
|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | QUAD 1-CHANNEL, SGL POLE SGL THROW SWITCH, CDFP16, CERAMIC, DFP-16 | QUAD 1-CHANNEL, SGL POLE SGL THROW SWITCH, CDIP16, ROHS COMPLIANT, CERAMIC, DIP-16 | QUAD 1-CHANNEL, SGL POLE SGL THROW SWITCH, CDFP16, CERAMIC, DFP-16 | QUAD 1-CHANNEL, SGL POLE SGL THROW SWITCH, CDIP16, CERAMIC, DIP-16 | QUAD 1-CHANNEL, SGL POLE SGL THROW SWITCH, UUC16, DIE-16 |
| 是否无铅 | 含铅 | 不含铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 零件包装代码 | DFP | DIP | DFP | DIP | DIE |
| 包装说明 | DFP, FL16,.25 | DIP, DIP16,.3 | DFP, FL16,.25 | DIP, DIP16,.3 | DIE, DIE OR CHIP |
| 针数 | 16 | 16 | 16 | 16 | 16 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant | compliant | compliant |
| 模拟集成电路 - 其他类型 | SPST | SPST | SPST | SPST | SPST |
| JESD-30 代码 | R-GDFP-F16 | R-GDIP-T16 | R-GDFP-F16 | R-GDIP-T16 | R-XUUC-N16 |
| 负电源电压最大值（Vsup） | -15 V | -15 V | -15 V | -15 V | -15 V |
| 负电源电压最小值（Vsup） | -10 V | -10 V | -10 V | -10 V | -10 V |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15 V | -15 V | -15 V | -15 V | -15 V |
| 正常位置 | NC | NC | NC | NC | NC |
| 信道数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 功能数量 | 4 | 4 | 4 | 4 | 4 |
| 端子数量 | 16 | 16 | 16 | 16 | 16 |
| 最大通态电阻 (Ron) | 75 Ω | 75 Ω | 75 Ω | 75 Ω | 75 Ω |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C |
| 输出 | COMMON OUTPUT | COMMON OUTPUT | COMMON OUTPUT | COMMON OUTPUT | COMMON OUTPUT |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, GLASS-SEALED | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | DFP | DIP | DFP | DIP | DIE |
| 封装等效代码 | FL16,.25 | DIP16,.3 | FL16,.25 | DIP16,.3 | DIE OR CHIP |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLATPACK | IN-LINE | FLATPACK | IN-LINE | UNCASED CHIP |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 电源 | +-15 V | +-15 V | +-15 V | +-15 V | +-15 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 筛选级别 | MIL-PRF-38535 Class Q | MIL-PRF-38535 Class Q | MIL-PRF-38535 Class V | MIL-PRF-38535 Class V | MIL-PRF-38535 Class V |
| 最大供电电压 (Vsup) | 15 V | 15 V | 15 V | 15 V | 15 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 10 V | 10 V | 10 V | 10 V | 10 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15 V | 15 V | 15 V | 15 V | 15 V |
| 表面贴装 | YES | NO | YES | NO | YES |
| 最长断开时间 | 80 ns | 80 ns | 80 ns | 80 ns | 80 ns |
| 最长接通时间 | 110 ns | 110 ns | 110 ns | 110 ns | 110 ns |
| 切换 | BREAK-BEFORE-MAKE | BREAK-BEFORE-MAKE | BREAK-BEFORE-MAKE | BREAK-BEFORE-MAKE | BREAK-BEFORE-MAKE |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY | MILITARY | MILITARY | MILITARY |
| 端子形式 | FLAT | THROUGH-HOLE | FLAT | THROUGH-HOLE | NO LEAD |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 总剂量 | 300k Rad(Si) V | 300k Rad(Si) V | 300k Rad(Si) V | 300k Rad(Si) V | 300k Rad(Si) V |
| 厂商名称 | Renesas(瑞萨电子) | - | Renesas(瑞萨电子) | Renesas(瑞萨电子) | Renesas(瑞萨电子) |
| JESD-609代码 | e4 | e4 | e4 | e4 | - |
| 座面最大高度 | 2.92 mm | 5.08 mm | 2.92 mm | 5.08 mm | - |
| 端子面层 | GOLD | Gold (Au) | GOLD | GOLD | - |
| 端子节距 | 1.27 mm | 2.54 mm | 1.27 mm | 2.54 mm | - |
| 宽度 | 6.73 mm | 7.62 mm | 6.73 mm | 7.62 mm | - |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 | 1 | - |
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