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IXTD5N100A

产品描述Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 1000V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
产品类别晶体管   
文件大小87KB,共1页
制造商Silicon Transistor Corporation
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IXTD5N100A概述

Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 1000V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IXTD5N100A规格参数

参数名称属性值
厂商名称Silicon Transistor Corporation
包装说明UNCASED CHIP, X-XUUC-N
Reach Compliance Codeunknown
配置SINGLE
最小漏源击穿电压1000 V
最大漏极电流 (ID)6 A
最大漏源导通电阻2 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码X-XUUC-N
元件数量1
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状UNSPECIFIED
封装形式UNCASED CHIP
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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