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503PAB200

产品描述Silicon Controlled Rectifier, 785000mA I(T), 2000V V(DRM),
产品类别触发装置   
文件大小293KB,共3页
制造商Nihon Inter Electronics Corporation
官网地址http://www.niec.co.jp
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503PAB200概述

Silicon Controlled Rectifier, 785000mA I(T), 2000V V(DRM),

503PAB200规格参数

参数名称属性值
厂商名称Nihon Inter Electronics Corporation
包装说明DISK BUTTON, O-XXDB-X4
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
关态电压最小值的临界上升速率200 V/us
最大直流栅极触发电流200 mA
最大直流栅极触发电压3 V
JESD-30 代码O-XXDB-X4
最大漏电流60 mA
通态非重复峰值电流7000 A
端子数量4
最大通态电流785000 A
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状ROUND
封装形式DISK BUTTON
认证状态Not Qualified
断态重复峰值电压2000 V
表面贴装YES
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UNSPECIFIED
触发设备类型SCR
Base Number Matches1
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