FIFO, 1KX9, 35ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
Reach Compliance Code | _compli |
ECCN代码 | EAR99 |
最长访问时间 | 35 ns |
JESD-30 代码 | R-XDIP-T28 |
JESD-609代码 | e0 |
内存密度 | 9216 bi |
内存集成电路类型 | OTHER FIFO |
内存宽度 | 9 |
端子数量 | 28 |
字数 | 1024 words |
字数代码 | 1000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 1KX9 |
封装主体材料 | CERAMIC |
封装代码 | DIP |
封装等效代码 | DIP28,.6 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 225 |
电源 | 5 V |
认证状态 | Not Qualified |
最大压摆率 | 0.125 mA |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
Base Number Matches | 1 |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved