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MAP5KE100Ae3

产品描述ESD Suppressors / TVS Diodes Transient Voltage Suppressor
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小472KB,共8页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
标准
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MAP5KE100Ae3概述

ESD Suppressors / TVS Diodes Transient Voltage Suppressor

MAP5KE100Ae3规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Microsemi
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
最大击穿电压123 V
最小击穿电压111 V
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码DO-204AL
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值反向功率耗散500 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散1.19 W
参考标准IEC-61000-4-5
最大重复峰值反向电压100 V
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子面层MATTE TIN OVER COPPER
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
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