IRF840FI,IRF840FI pdf中文资料,IRF840FI引脚图,IRF840FI电路-Datasheet-电子工程世界

IRF840FI: 产品描述8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小337KB，共9页; 制造商ST(意法半导体); 官网地址http://www.st.com/; 标准

下载文档详细参数选型对比全文预览

IRF840FI概述

8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB

IRF840FI规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	ST(意法半导体)
零件包装代码	SFM
包装说明	TO-220, 3 PIN
针数	3
Reach Compliance Code	not_compliant
其他特性	HIGH VOLTAGE, FAST SWITCHING
雪崩能效等级（Eas）	510 mJ
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	4.5 A
最大漏极电流 (ID)	4.5 A
最大漏源导通电阻	0.85 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)	110 pF
JEDEC-95代码	TO-220AB
JESD-30 代码	R-PSFM-T3
JESD-609代码	e3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
功耗环境最大值	40 W
最大功率耗散 (Abs)	40 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	32 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	Matte Tin (Sn)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
最大关闭时间（toff）	125 ns
最大开启时间（吨）	93 ns
Base Number Matches	1

IRF840FI相似产品对比

	IRF840FI	IRF841	IRF841FI
描述	8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB	8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB	8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
是否Rohs认证	符合	符合	符合
厂商名称	ST(意法半导体)	ST(意法半导体)	ST(意法半导体)
零件包装代码	SFM	SFM	SFM
包装说明	TO-220, 3 PIN	TO-220, 3 PIN	TO-220, 3 PIN
针数	3	3	3
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	not_compliant
其他特性	HIGH VOLTAGE, FAST SWITCHING	HIGH VOLTAGE, FAST SWITCHING	HIGH VOLTAGE, FAST SWITCHING
雪崩能效等级（Eas）	510 mJ	510 mJ	510 mJ
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	500 V	450 V	450 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	4.5 A	8 A	4.5 A
最大漏极电流 (ID)	4.5 A	8 A	4.5 A
最大漏源导通电阻	0.85 Ω	0.85 Ω	0.85 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)	110 pF	110 pF	110 pF
JEDEC-95代码	TO-220AB	TO-220AB	TO-220AB
JESD-30 代码	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3
JESD-609代码	e3	e3	e3
元件数量	1	1	1
端子数量	3	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
功耗环境最大值	40 W	125 W	40 W
最大功率耗散 (Abs)	40 W	125 W	40 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	32 A	32 A	32 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO
端子面层	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON
最大关闭时间（toff）	125 ns	125 ns	125 ns
最大开启时间（吨）	93 ns	93 ns	93 ns
Base Number Matches	1	1	1
外壳连接	ISOLATED	-	ISOLATED
是否无铅	-	不含铅	不含铅

推荐资源

MC145026（通用）红外线、超声波或射频遥控发射编码电路-02

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多