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5KP30CA-G

产品描述ESD Suppressors / TVS Diodes 5000W VRWM=30V,Bidir
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小60KB,共5页
制造商Comchip Technology
官网地址http://www.comchiptech.com/
标准
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5KP30CA-G概述

ESD Suppressors / TVS Diodes 5000W VRWM=30V,Bidir

5KP30CA-G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Comchip Technology
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
击穿电压标称值35.05 V
最大钳位电压48.4 V
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性BIDIRECTIONAL
最大重复峰值反向电压30 V
表面贴装NO
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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5000W Transient Voltage Suppressor
COMCHIP
SMD Diodes Specialist
5KP-G Series
Stand-off Voltage: 6.8V ~ 220V
Power Dissipation: 5000 Watts
RoHS Device
Features
-Glass passivated chip.
0.052(1.32)
R-6
-Low leakage.
-Uni and Bidirection unit.
-Excellent clamping capability.
-The plastic material has UL recognition 94V-0.
-Fast response time.
0.048(1.22)
1.0(25.4)
MIN.
DIA.
0.360(9.14)
0.340(8.64)
Mechanical Data
-Case: Molded plastic R-6
-Polarity: By cathode band denotes uni-directional
device, none cathode band denotes bi-directional
device
-Weight: 2.1 grams
1.0(25.4)
MIN.
0.360(9.14)
0.340(8.64)
DIA.
Dimensions in inches and (millimeter)
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Rating at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive loaded.
For capacitive load, derated current by 20%.
O
Parameter
Peak power dissipation with a 10/1000μs
waveform (Note 1)
Peak pulse current with a 10/1000μs waveform
(Note 1)
Power dissipation on infinite heatsink at T
L
=75 C
Peak forward surge current, 8.3ms single
half sine-wave unidirectional only (Note 2)
Maximum instantaneous forward voltage at
100A for uni-directional devices only (Note 3)
Operating junction and storage temperature
range
NTOES:
O
Symbol
P
PP
Value
5000
Unit
W
I
PP
See Next Table
8.0
W
P
D
W
I
FSM
500
A
V
F
3.5 / 5.0
V
T
J
, T
STG
-55 to +150
O
C
(1) Non-repetitive current pulse, per fig.5 and derated above T
A
=25 C per fig. 1.
(2) Measured on 8.3 ms single half sine wave of equivalent square wave,duty cycle=4 pulses per minute maximum.
(3) V
F
<3.5V for devices of V
BR
<200V and V
F
<
5.0V for devices of V
BR
>
201V
O
REV:B
QW-BTV08
Page 1
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