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PT5112

产品描述3 PHASE, 50 A, 1200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小134KB,共3页
制造商Nihon Inter Electronics Corporation
官网地址http://www.niec.co.jp
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PT5112概述

3 PHASE, 50 A, 1200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

PT5112规格参数

参数名称属性值
厂商名称Nihon Inter Electronics Corporation
包装说明R-XUFM-X5
Reach Compliance Codeunknow
其他特性UL RECOGNIZED
外壳连接ISOLATED
配置BRIDGE, 6 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-XUFM-X5
最大非重复峰值正向电流600 A
元件数量6
相数3
端子数量5
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
最大输出电流50 A
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压1200 V
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER

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DIODE MODULE
FEATURES
* Isolated Base
* 3 Phase Bridge Circuit
* High Surge Capability
* UL Recognized, File No. E187184
50A/1200V/1600V
PT5112 PT5116
OUTLINE DRAWING
ネ½゙
TYPICAL APPLICATIONS
* Rectified For General Use
Maximum Ratings
Parameter
Repetitive Peak Reverse Voltage *1
Non Repetitive Peak Reverse Voltage *1
Approx Net Weight:180g
Symbol
V
RRM
V
RSM
Type / Grade
PT5112
1200
1300
PT5116
1600
1700
Max Rated
Value
Unit
V
Parameter
Average Rectified Output Current
Surge Forward Current *1
I Squared t *1
Operating JunctionTemperature Range
Storage Temperature Range
Isoration Voltage
Case mounting
Mounting torque
Terminals
I
O(AV)
I
FSM
I
2
t
Tjw
Tstg
Viso
Ftor
Conditions
3-Phase Full Wave Rectified
Tc=91°C
50 Hz Half Sine Wave,1Pulse
Non-repetitive
2msec to 10msec
Unit
A
A
50
600
1800
A
2
s
-40 to +125
°C
-40 to +125
°C
Base Plate to Terminals, AC1min
2500
V
Greased
M5 Screw
2.4 to 2.8
N
m
M5
2.4 to 2.8
Electrical
Thermal Characteristics
Characteristics
Peak Reverse Current *1
Peak Forward Voltage *1
Thermal Resistance
*1: Value Per 1Arm
Symbol
Test Conditions
Max. Unit
10
1.3
0.27
0.06
mA
V
°C/W
I
RM
V
RM
= V
RRM,
Tj= 125°C
V
FM
I
FM
= 50A, Tj=25°C
Rth(j-c) Junction to Case (Total)
Base Plate to Heat Sink with Thermal
Rth(c-f)
Compound (Total)
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