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MAZW082H

产品描述Silicon planar type For surge absorption circuit
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小65KB,共3页
制造商Panasonic(松下)
官网地址http://www.panasonic.co.jp/semicon/e-index.html
标准
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MAZW082H概述

Silicon planar type For surge absorption circuit

MAZW082H规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Panasonic(松下)
零件包装代码DFP
包装说明R-PDSO-F3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
外壳连接ANODE
配置COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-F3
JESD-609代码e6
湿度敏感等级1
元件数量2
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.15 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
技术ZENER
端子面层Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10

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ESD Diodes
MAZW000H Series
Silicon planar type
Unit: mm
For surge absorption circuit
Features
Two elements anode-common type
SSS-Mini type 3-pin package
0.33
+0.05
–0.02
3
0.10
+0.05
–0.02
(0.40) (0.40)
0.80
±0.05
1.20
±0.05
0.15 min.
0.23
+0.05
–0.02
1
2
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25°C
Parameter
Total power dissipation
*
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
P
tot
T
j
T
stg
Rating
150
150
−55
to
+150
Unit
mW
°C
°C
0 to 0.01
0.52
±0.03
Note) *: P
tot
= 150 mW achieved with a printed circuit board.
1: Cathode 1
2: Cathode 2
3: Anode 1, 2
SSSMini3-F1 Package
Internally connected circuit
3
1
2
Common Electrical Characteristics
T
a
= 25°C
±
3°C
Parameter
Zener voltage
*
Zener rise operating resistance
Zener operating resistance
Reverse current
Symbol
V
Z
R
ZK
R
Z
I
R
I
Z
I
Z
I
Z
V
R
Conditions
Specified value
Specified value
Specified value
Specified value
Refer to the list of the
electrical characteristics
within part numbers
Min
Typ
Max
Unit
V
µA
Note) 1. Measuring methods are based JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7031 measuring methods for diodes.
2. Electrostatic breakdown voltage is
±10
kV
Test method: IEC1000-4-2 (C
=
150 pF, R
=
330
Ω,
Contact discharge: 10 times)
3. *: The temperature must be controlled 25°C for V
Z
mesurement.
V
Z
value measured at other temperature must be adjusted to V
Z
(25°C)
V
Z
guaranted 20 ms after current flow.
0.15 max.
0.15 min.
0.80
±0.05
1.20
±0.05
Publication date: 30 June, 2003
SKE00019AED
1

MAZW082H相似产品对比

MAZW082H MAZW062H MAZW000H MAZW068H MAZW120H MAZW100H
描述 Silicon planar type For surge absorption circuit Silicon planar type For surge absorption circuit Silicon planar type For surge absorption circuit Silicon planar type For surge absorption circuit Silicon planar type For surge absorption circuit Silicon planar type For surge absorption circuit
是否Rohs认证 符合 符合 - 符合 - 符合
厂商名称 Panasonic(松下) Panasonic(松下) - Panasonic(松下) Panasonic(松下) Panasonic(松下)
零件包装代码 DFP DFP - DFP DFP DFP
包装说明 R-PDSO-F3 R-PDSO-F3 - R-PDSO-F3 R-PDSO-F3 R-PDSO-F3
针数 3 3 - 3 3 3
Reach Compliance Code unknow unknow - unknow unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 - EAR99 EAR99 EAR99
外壳连接 ANODE ANODE - ANODE ANODE ANODE
配置 COMMON ANODE, 2 ELEMENTS COMMON ANODE, 2 ELEMENTS - COMMON ANODE, 2 ELEMENTS COMMON ANODE, 2 ELEMENTS COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON - SILICON SILICON SILICON
二极管类型 TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE - TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码 R-PDSO-F3 R-PDSO-F3 - R-PDSO-F3 R-PDSO-F3 R-PDSO-F3
JESD-609代码 e6 e6 - e6 - e6
湿度敏感等级 1 1 - 1 - 1
元件数量 2 2 - 2 2 2
端子数量 3 3 - 3 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 - 260 - 260
极性 UNIDIRECTIONAL UNIDIRECTIONAL - UNIDIRECTIONAL UNIDIRECTIONAL UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散 0.15 W 0.15 W - 0.15 W 0.15 W 0.15 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified - Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES - YES YES YES
技术 ZENER ZENER - ZENER ZENER ZENER
端子面层 Tin/Bismuth (Sn/Bi) Tin/Bismuth (Sn/Bi) - Tin/Bismuth (Sn/Bi) - Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式 FLAT FLAT - FLAT FLAT FLAT
端子位置 DUAL DUAL - DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 10 10 - 10 - 10
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