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EMH2602

产品描述N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs General-Purpose Switching Device
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小65KB,共6页
制造商SANYO
官网地址http://www.semic.sanyo.co.jp/english/index-e.html
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EMH2602概述

N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs General-Purpose Switching Device

EMH2602规格参数

参数名称属性值
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8
针数8
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)3.5 A
最大漏极电流 (ID)3.5 A
最大漏源导通电阻0.069 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-F8
元件数量2
端子数量8
工作模式DEPLETION MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)1.2 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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