EN29F010-55SIP,EN29F010-55SIP pdf中文资料,EN29F010-55SIP引脚图,EN29F010-55SIP电路-Datasheet-电子工程世界

EN29F010-55SIP: 产品描述1 Megabit (128K x 8-bit) 5V Flash Memory; 产品类别存储存储; 文件大小425KB，共35页; 制造商Eon; 官网地址http://www.essi.com.tw/; 标准

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EN29F010-55SIP概述

1 Megabit (128K x 8-bit) 5V Flash Memory

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Eon
包装说明	TSSOP, TSSOP32,.56,20
Reach Compliance Code	unknow
最长访问时间	55 ns
命令用户界面	YES
数据轮询	YES
耐久性	100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码	R-PDSO-G32
内存密度	1048576 bi
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	8
部门数/规模	8
端子数量	32
字数	131072 words
字数代码	128000
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	128KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSSOP
封装等效代码	TSSOP32,.56,20
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行	PARALLEL
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
部门规模	16K
最大待机电流	0.000005 A
最大压摆率	0.03 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子形式	GULL WING
端子节距	0.5 mm
端子位置	DUAL
切换位	YES
类型	NOR TYPE

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器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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