4 Megabit (512K x 8-bit) Flash Memory
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Eon |
| Objectid | 106318137 |
| 包装说明 | QCCJ, LDCC32,.5X.6 |
| Reach Compliance Code | unknow |
| compound_id | 181491851 |
| 最长访问时间 | 45 ns |
| 命令用户界面 | YES |
| 数据轮询 | YES |
| 耐久性 | 100000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码 | R-PQCC-J32 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 内存密度 | 4194304 bi |
| 内存集成电路类型 | FLASH |
| 内存宽度 | 8 |
| 部门数/规模 | 8 |
| 端子数量 | 32 |
| 字数 | 524288 words |
| 字数代码 | 512000 |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 512KX8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | QCCJ |
| 封装等效代码 | LDCC32,.5X.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 部门规模 | 64K |
| 最大待机电流 | 0.000005 A |
| 最大压摆率 | 0.03 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | J BEND |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD |
| 切换位 | YES |
| 类型 | NOR TYPE |
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