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EN29LV800AB-70BC

产品描述8 Megabit (1024K x 8-bit / 512K x 16-bit) Flash Memory Boot Sector Flash Memory, CMOS 3.0 Volt-only
产品类别存储    存储   
文件大小361KB,共41页
制造商Eon
官网地址http://www.essi.com.tw/
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EN29LV800AB-70BC概述

8 Megabit (1024K x 8-bit / 512K x 16-bit) Flash Memory Boot Sector Flash Memory, CMOS 3.0 Volt-only

EN29LV800AB-70BC规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明FBGA, BGA48,6X8,32
Reach Compliance Codeunknow
最长访问时间70 ns
备用内存宽度8
启动块BOTTOM
命令用户界面YES
数据轮询YES
耐久性1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-PBGA-B48
JESD-609代码e0
内存密度8388608 bi
内存集成电路类型FLASH
内存宽度16
部门数/规模1,2,1,15
端子数量48
字数524288 words
字数代码512000
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织512KX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码FBGA
封装等效代码BGA48,6X8,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
电源3/3.3 V
认证状态Not Qualified
就绪/忙碌YES
部门规模16K,8K,32K,64K
最大待机电流0.000005 A
最大压摆率0.03 mA
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
切换位YES
类型NOR TYPE
Base Number Matches1
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