电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

EN29LV800BB-90BI

产品描述8 Megabit (1024K x 8-bit / 512K x 16-bit) Flash Memory Boot Sector Flash Memory, CMOS 3.0 Volt-only
产品类别存储    存储   
文件大小354KB,共41页
制造商Eon
官网地址http://www.essi.com.tw/
下载文档 详细参数 全文预览

EN29LV800BB-90BI概述

8 Megabit (1024K x 8-bit / 512K x 16-bit) Flash Memory Boot Sector Flash Memory, CMOS 3.0 Volt-only

EN29LV800BB-90BI规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Eon
包装说明FBGA, BGA48,6X8,32
Reach Compliance Codeunknow
最长访问时间90 ns
备用内存宽度8
启动块BOTTOM
命令用户界面YES
数据轮询YES
耐久性1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-PBGA-B48
JESD-609代码e0
内存密度8388608 bi
内存集成电路类型FLASH
内存宽度16
部门数/规模1,2,1,15
端子数量48
字数524288 words
字数代码512000
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织512KX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码FBGA
封装等效代码BGA48,6X8,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
电源3/3.3 V
认证状态Not Qualified
就绪/忙碌YES
部门规模16K,8K,32K,64K
最大待机电流0.000005 A
最大压摆率0.03 mA
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
切换位YES
类型NOR TYPE

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 549  873  1140  1234  1269 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved