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IRLHS6376TRPBF

产品描述MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 2.8nC
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小307KB,共9页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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IRLHS6376TRPBF概述

MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 2.8nC

IRLHS6376TRPBF规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明2 X 2 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, QFN-6
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time15 weeks
Samacsys DescriptionInfineon IRLHS6376TRPBF Dual N-channel MOSFET, 7.6 A, 30 V HEXFET, 6-Pin PQFN
外壳连接DRAIN
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)3.4 A
最大漏极电流 (ID)3.6 A
最大漏源导通电阻0.082 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码S-PDSO-N6
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量2
端子数量6
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状SQUARE
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)6.6 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式NO LEAD
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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