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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> ZVN0545ASTZ
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ZVN0545ASTZ

产品描述MOSFET N-Chnl 450V
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小22KB，共1页
制造商Diodes Incorporated
标准
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ZVN0545ASTZ在线购买

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ZVN0545ASTZ概述

MOSFET N-Chnl 450V

ZVN0545ASTZ规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Diodes Incorporated
零件包装代码TO-92
包装说明TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time17 weeks
配置SINGLE
最小漏源击穿电压450 V
最大漏极电流 (ID)0.09 A
最大漏源导通电阻50 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSIP-W3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）260
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式WIRE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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N-CHANNEL ENHANCEMENT
MODE VERTICAL DMOS FET
ISSUE 2 – MARCH 94
FEATURES
* 450 Volts V
DS
* R
DS(on)
= 50Ω
ZVN0545A
D
G
S
E-Line
TO92 Compatible
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Drain-Source Voltage
Continuous Drain Current at T
amb
=25°C
Pulsed Drain Current
Gate-Source Voltage
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
SYMBOL
V
DS
I
D
I
DM
V
GS
P
tot
T
j
:T
stg
VALUE
450
90
600
±
20
700
-55 to +150
UNIT
V
mA
mA
V
mW
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
Drain-Source Breakdown
Voltage
Gate-Source Threshold
Voltage
Gate-Body Leakage
Zero Gate Voltage Drain
Current
On-State Drain Current(1)
Static Drain-Source On-State
Resistance (1)
Forward
Transconductance(1)(2)
Input Capacitance (2)
Common Source Output
Capacitance (2)
Reverse Transfer Capacitance
(2)
Turn-On Delay Time (2)(3)
Rise Time (2)(3)
Turn-Off Delay Time (2)(3)
Fall Time (2)(3)
SYMBOL MIN.
BV
DSS
V
GS(th)
I
GSS
I
DSS
450
1
3
20
10
400
150
50
100
70
10
4
7
7
16
10
MAX. UNIT CONDITIONS.
V
V
nA
µA
µA
mA
Ω
mS
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
(
1
V
DD
≈25V,
I
D
=100mA
V
DS
=25 V, V
GS
=0V, f=1MHz
I
D
=1mA, V
GS
=0V
ID=1mA, V
DS
= V
GS
V
GS
=± 20V, V
DS
=0V
V
DS
=450 V, V
GS
=0
V
DS
=405 V, V
GS
=0V,
T=125°C
(2)
V
DS
=25 V, V
GS
=10V
V
GS
=10V,I
D
=100mA
V
DS
=25V,I
D
=100mA
I
D(on)
R
DS(on)
g
fs
C
iss
C
oss
C
rss
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
3-357

ZVN0545ASTZ相似产品对比

ZVN0545ASTZ
描述 MOSFET N-Chnl 450V
是否无铅 不含铅
是否Rohs认证 符合
厂商名称 Diodes Incorporated
零件包装代码 TO-92
包装说明 TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3
针数 3
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
Factory Lead Time 17 weeks
配置 SINGLE
最小漏源击穿电压 450 V
最大漏极电流 (ID) 0.09 A
最大漏源导通电阻 50 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSIP-W3
JESD-609代码 e3
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度） 260
极性/信道类型 N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
端子面层 Matte Tin (Sn)
端子形式 WIRE
端子位置 SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 40
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON

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