电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

SSM3J120TU(T5L,T)

产品描述MOSFET P-Ch FET Mosfet 1.5V -20Vds +8V
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小217KB,共7页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
标准
下载文档 详细参数 全文预览

SSM3J120TU(T5L,T)概述

MOSFET P-Ch FET Mosfet 1.5V -20Vds +8V

SSM3J120TU(T5L,T)规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
Toshiba(东芝)
产品种类
Product Category
MOSFET
RoHSDetails
技术
Technology
Si
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
UFM-3
Number of Channels1 Channel
Transistor PolarityP-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage- 20 V
Id - Continuous Drain Current- 4 A
Rds On - Drain-Source Resistance38 mOhms
ConfigurationSingle
系列
Packaging
Cut Tape
系列
Packaging
MouseReel
系列
Packaging
Reel
高度
Height
0.7 mm
长度
Length
2 mm
产品
Product
MOSFET Small Signal
Transistor Type1 P-Channel
宽度
Width
1.7 mm
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
3000
单位重量
Unit Weight
0.000233 oz

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 122  123  389  983  988 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved