SRAM Non Volatile SRAMs
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 零件包装代码 | QLCC |
| 包装说明 | CERAMIC, LCC-28 |
| 针数 | 28 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | 3A001.A.2.C |
| 最长访问时间 | 35 ns |
| 其他特性 | EEPROM HARDWARE/SOFTWARE STORE; SOFTWARE RECALL; RETENTION/ENDURANCE = 10 YEARS/100000 CYCLES |
| JESD-30 代码 | R-CQCC-N28 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 13.97 mm |
| 内存密度 | 65536 bit |
| 内存集成电路类型 | NON-VOLATILE SRAM |
| 内存宽度 | 8 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 28 |
| 字数 | 8192 words |
| 字数代码 | 8000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 组织 | 8KX8 |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | QCCN |
| 封装等效代码 | LCC28,.35X.55 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Qualified |
| 筛选级别 | MIL-STD-883 |
| 座面最大高度 | 2.29 mm |
| 最大待机电流 | 0.004 A |
| 最大压摆率 | 0.085 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 8.89 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| 5962-9459903MYA | 5962-9459903MXC | |||
|---|---|---|---|---|
| 描述 | SRAM Non Volatile SRAMs | SRAM 8Kbx8 4.5-5.5V 35ns nvSRAM |
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