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IXDN602SIA

产品描述Gate Drivers 2-A Dual Low-Side Ultrafast MOSFET
产品类别模拟混合信号IC    驱动程序和接口   
文件大小269KB,共13页
制造商IXYS
标准
相似器件已查找到5个与IXDN602SIA功能相似器件
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IXDN602SIA概述

Gate Drivers 2-A Dual Low-Side Ultrafast MOSFET

IXDN602SIA规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称IXYS
零件包装代码SOIC
包装说明MS-012AA, SOIC-8
针数8
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
高边驱动器NO
接口集成电路类型BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码R-PDSO-G8
长度4.9 mm
功能数量2
端子数量8
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
标称输出峰值电流2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP8,.25
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源4.5/35 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.75 mm
最大供电电压35 V
最小供电电压4.5 V
标称供电电压18 V
表面贴装YES
温度等级AUTOMOTIVE
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
断开时间0.038 µs
接通时间0.04 µs
宽度3.9 mm
Base Number Matches1

IXDN602SIA相似产品对比

IXDN602SIA IXDF602SI IXDN602SI IXDI602D2TR IXDF602D2TR IXDN602SIATR
描述 Gate Drivers 2-A Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Gate Drivers 2-A Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Gate Drivers 2-A Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Gate Drivers 2-A Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Gate Drivers 2-A Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Gate Drivers 2-A Dual Low-Side Ultrafast MOSFET
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合
厂商名称 IXYS IXYS IXYS IXYS IXYS IXYS
零件包装代码 SOIC SOIC SOIC DFN DFN SOIC
包装说明 MS-012AA, SOIC-8 MS-012BA, SOIC-8 MS-012BA, SOIC-8 DFN-8 DFN-8 MS-012AA, SOIC-8
针数 8 8 8 8 8 8
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
高边驱动器 NO NO NO NO NO NO
接口集成电路类型 BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8 R-PDSO-N8 R-PDSO-N8 R-PDSO-G8
长度 4.9 mm 4.9 mm 4.9 mm 5 mm 5 mm 4.9 mm
功能数量 2 2 2 2 2 2
端子数量 8 8 8 8 8 8
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
标称输出峰值电流 2 A 2 A 2 A 2 A 2 A 2 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOP HSOP HSOP HVSON HVSON SOP
封装等效代码 SOP8,.25 SOP8,.25 SOP8,.25 SOLCC8,.2,37 SOLCC8,.2,37 SOP8,.25
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 4.5/35 V 4.5/35 V 4.5/35 V 4.5/35 V 4.5/35 V 4.5/35 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.75 mm 1.75 mm 1.75 mm 1 mm 1 mm 1.75 mm
最大供电电压 35 V 35 V 35 V 35 V 35 V 35 V
最小供电电压 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 18 V 18 V 18 V 18 V 18 V 18 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
温度等级 AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING NO LEAD NO LEAD GULL WING
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 0.95 mm 0.95 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
断开时间 0.038 µs 0.038 µs 0.038 µs 0.038 µs 0.038 µs 0.038 µs
接通时间 0.04 µs 0.04 µs 0.04 µs 0.04 µs 0.04 µs 0.04 µs
宽度 3.9 mm 3.9 mm 3.9 mm 4 mm 4 mm 3.9 mm
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1

与IXDN602SIA功能相似器件

器件名 厂商 描述
IXDN602SIATR IXYS Gate Drivers 2-A Dual Low-Side Ultrafast MOSFET
IXDN402SIA IXYS Buffer/Inverter Based MOSFET Driver, CMOS, PDSO8, 0.150 INCH, MS-012AA, SOIC-8
IXDN602SITR Littelfuse Buffer/Inverter Based MOSFET Driver, 2A, PDSO8, MS-012BA, SOIC-8
IXDN602SI IXYS Gate Drivers 2-A Dual Low-Side Ultrafast MOSFET
IXDN402SI IXYS Gate Drivers 2 Amps 40V 3 Rds
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