200 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
200 W, 单向, 硅, 瞬态抑制二极管
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | ON Semiconductor(安森美) |
| 包装说明 | 0.047 X 0.032 INCH, 0.028 INCH HEIGHT, LEAD FREE, PLASTIC, CASE 502-01, 2 PIN |
| 针数 | 2 |
| 制造商包装代码 | CASE 502-01 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 其他特性 | UL RECOGNIZED |
| 最小击穿电压 | 6.2 V |
| 最大钳位电压 | 11.6 V |
| 配置 | SINGLE |
| 二极管元件材料 | SILICON |
| 二极管类型 | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-F2 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 最大非重复峰值反向功率耗散 | 174 W |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 极性 | UNIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散 | 0.2 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压 | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | AVALANCHE |
| 端子面层 | Tin (Sn) |
| 端子形式 | FLAT |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
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