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2SC5551AF-TD-E

产品描述RF Bipolar Transistors RF Transistors 30V,300mA,fT=3.5GHz
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小300KB,共7页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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2SC5551AF-TD-E概述

RF Bipolar Transistors RF Transistors 30V,300mA,fT=3.5GHz

2SC5551AF-TD-E规格参数

参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数3
制造商包装代码419AU
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time7 weeks
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)0.3 A
基于收集器的最大容量4 pF
集电极-发射极最大电压30 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)135
最高频带S BAND
JEDEC-95代码TO-243
JESD-30 代码R-PSSO-F3
JESD-609代码e6
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)1.3 W
表面贴装YES
端子面层Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式FLAT
端子位置SINGLE
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)3500 MHz
Base Number Matches1
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